30f126 чем заменить транзистор

30f126 чем заменить транзистор

ДОБАВЛЕНО 14/08/2018 11:37

Интересный факт, сейчас смотрел другую тему со схожим дефектом, тока модель 350, так там полевики стоят не 5N25 а 51N25. Игрек такой же. Ничё не пойму. Кто то точно может сказать, что точно должно стоять?

Что плазмы ни когда не видели? 5,2 вольта подается на Y которые идут с БП, и проверяется 2 по 18 вольт, 1 питание сканов, вот с подачей 5.2 вольта и проверишь прохождение сигналов к затворам IGBT, без панели можно тестить железо, даже без подключенных планок сканов, но сканы надо проверить на КЗ, Не поленись почитай похожие темы.
51N25 BLOCKING стоят, там опечатка,

ДОБАВЛЕНО 14/08/2018 12:04

Найди С208 и подай на него 5.2 вольта, идет питание IC510 NCP3163. Подключай Y лоджик и Z.

ДОБАВЛЕНО 14/08/2018 13:15

Короче не мекра это вовсе 34H, а двойной оптрон. Сейчас проверю и узнаю, жив ли гадёныш.

Вот схема та, смотрел? http://archive.espec.ws/section1/file32764.html

power1, нифига ты красавчик. Я другой мануал тока находил. Огоменное благодарствую. Сейчас изучу, так дело быстрее пойдёт ))

vornst50, в схеме это q26 и q28 полевики и там указаны 51n25. Ошибка?

ДОБАВЛЕНО 14/08/2018 14:31

ДОБАВЛЕНО 14/08/2018 14:34

Вышибает вот это плечо Q3, Q4, Q23. Q24. Q26, Q28.

vornst50, Тогда вопрос, как последний работал столько лет на 5N25?

Он у тебя пробит? Ни в одной плазме нет мосфетов в BLOCKING менее 43 я не встречал, а они там у тебя родные стоят? или уже кто то покопался.
Ты ставишь 30F124= 300V
RJP63F3= 600V чувствуешь разницу.

vornst50, ну мы оба понимаем, что там нет 600В. Там дае 250В нет, а вот ампераж это да.

Ты не понял, когда осциллограмму Y посмотришь и увидешь какие там выбросы, да и на заводе не дураки сидят.

ДОБАВЛЕНО 14/08/2018 15:59

Да неее, в этой же цепи стоят 30F124 и кондюки на 250В. Это как 200А транзюки ставят. Там де нет этих пиковых 200А. Запас прочности и только.

Источник

Решено LG 42PJ250R-ZA Сильный нагрев IGBT в Y-SUS Z-SUS Плазма

Конденсаторы в блоке питания и сустейнах на ESR и емкость проверены, без претензий. По VS и VA на всякий случай заменил на новые.
1) Корректна ли замена 30J124 вместо 30F124?
2) Насколько сильно они должны греться?
3) Как проверить качество транзисторов?
То,что они подделка, это понятно, в отзывах у продавца человек писАл что нагрев около 60, возможно мне попались совсем некондиционные. как знать. Всем спасибо

Это информационный блок по ремонту телевизоров

Неисправности ТВ

Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По этой теме в форуме уже рассмотрены следующее:

Начинающие мастера, и не только, часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, блоков питания, пользовательские и сервисные инструкции. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

Большинство справочной литературы можно скачать в каталоге «Энциклопедия ремонта», и на отдельных страницах:

При создании вопросов по электронным компонентам используемых в телевизионной аппаратуре, указывайте точный тип корпуса, либо фотографию. Наиболее распространены:

Programmer (программатор)

Это устройство для записи (считывания) информации в память микросхем или другое устройство. При смене прошивки телемастера выбирают программаторы, недостатки и достоинства которых рассмотрены в отдельных темах:

Краткие сокращения

Желающим подключиться к обсуждениям

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Ответ в тему LG 42PJ250R-ZA Сильный нагрев IGBT в Y-SUS Z-SUS Плазма как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

Источник

IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP. (1/1)

16 Дек 2018 19:44 #1

IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP.

2PG011 540V 40A 40W Vse 2.5V N-ch. TO-220F

AP85GT33SW 330V 90A 150W IGBT TO-3P

AP88N30W 300V 48A 312W 48Mom N-ch.TO-247

DG301 330V 40A TO-220F И TO-263

DG302 300V 250A TO-263 DG3C3020CL

DG402RP 430V 40A N-ch. TO-220F аналог DG3D4020CSRP,HGTP20N60C3, RJP63F3D

FDPF33N25T 250V 20A 94W 0.094om N-ch. TO-220F аналог FDPF51N25R,FDPF44N25T

FDPF51N25 250V 28A 0.060om 117W N-ch.TO-220F

FGA90N33ATD 330V 90A 223W TO-3P

FGD4536 360V 220A 125W TO-252

FGPF30N45T 450V 30A 50W TO-220F

FGPF4536 360V 220A 28.4W Vce=1.59V TO-220F

FGPF4633 330V 300A Vce 1.55A 30W TO-220F

FGPF4636 360V 60A TO-220F

FGPF50N33BT 330V 50A 43W N-Ch. Vce-1.6 IGBT TO-220F

FGPF70N30T 300V 70A 52W VCE =1.4V TO-220F

FGPF70N33 330V 70A 48W TO-220F

GT30F122 300V 120A 120W Vce-2.4 TO-220F

GT30F123 300V 200A Vce-2.1 25W TO-220F

GT30F124 300V 200A 25W Vce-2.3 TO-220F

GT30F125 330V 200A Vce-1.9 TO-220F

GT30F126 330V 200A 18W TO-263

GT30F131 360V 200A 140W Vce-1.9 TO-263

GT30F133 300V, 30A, TO-252 TO-263 и TO-220

GT30G122 400V 120A 25W Vce-2.6 TO-220F

GT30G123 430V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT30G124 430V 200A Vce-2.5 TO-220F

GT30G125 430V 200A 25W Vce-2.1 TO-220F аналог GT30G123, DG402RP,DG3D4020CSRP

GT30J124 600V 200A PULSE 26W TO-220F

GT30J127 600V 200A 25W TO-220F

GT30J322 600V 30A 75W TO-247

GT45F122 300V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT45F123 300V 200A 29W Vce-1.95 TO-220F

GT45F128 330V 200A 26W Vce-1.45 TO-220F

GT45G122 300V 200A Vce = 2.2V 25W TO-220F

GT45G128 430V 200A Vce=1.55 26W TO-220F

IRFP4332 250V 57A 29mom 360W TO-3P аналог AP88N30

IRFS52N15D 150V 51A 230W D-2PAK

IRG7R313U 330V 40A 78W TO-252 аналог 30J124,30F133

IRG7S313U 330V 40A 78W TO-263 аналог RJP30H2

IRG7SC28U 60A 225A 171W D2PAK

IRGP4086 300V 250A 160W TO-247

R5007 500V 7A 40W 1.3om N-ch. TO-220F аналог KF7N60

R6015ANX 600V 15A 0.3om 50W TO-220F

RCJ330N25 250V 33A 211W N-ch. TO-263

RCJ450N20 200V 45A 40W 42mom N-ch. TO-263

RCX200N20 200V 20A 40W 130Mom N-ch. TO-220F

RFN20NS3SW TO-263 PANASONIC

RGH3044 360V 30A 20W TO-220F

RJH3077 330V 50A Vce=1.6V TO-247

RJH30A3 300V 30A TO247

RJH30E2 360V 30A 120W TO-220F

RJH30E3 360V 40A TO-220F

RJH60F4 600V 60A 235W VCE 1.4 V TO-247

RJK6026 600V 5A 28W N-ch.TO-200F

RJP3034 аналог RJP30E2DPP, RJP30E3DPP, GT30F125

RJP3043 330V 50A TO-247

RJP3044 360V 30A TO-220F

RJP3045 360V 35A 25W TO-220F

RJP3047 330V 50A TO-3P

RJP3049 330V 65A IGBT TO-3P

RJP3053 300V 30A Vce-2.0 TO220F

RJP3054 300V 40A Vce=1.8V TO-220F

RJP3063 300V 30A Vce-1.7V TO-220F

RJP30E2 360V 35A 25W N-ch. IGBT TO-220F аналог RJP30E3DPP, GT30F125,RJP3034DPP

RJP30E3 360A 40A 60W VCE = 1.6 V TO-3P

RJP30H1 360V 200A 40W N-ch. TO-252

RJP30H2 360V 35A 60W VCE = 1.4 V TO-247

RJP30H2A 360V 250A 60W TO-263 аналог G7S313U

RJP43F4A 430V 40A TO-220F

RJP4584 450V 35A TO-220FP

RJP4585 400V 200A PIC 29W TO220F

RJP56F4 430V 200A 30W TO-220F

RJP6055 600V 20A IGBT TO-220F

RJP6065 630V 40A 50W N-ch. TO-3P и TO-220F

RJP63F3 630V 40A 30W N-Ch. TO-220F аналог RJP6065DPP

Источник

DatasheetCafe

Semiconductor Pinout Informations

30F126 Datasheet PDF – 330V, 200A – Toshiba IGBT

This is a kind of IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor.

PartNumber : 30F126, GT30F126

Package : TO-220F Type

Description : LCD Plasma common tube TO-220F, IGBT 200A / 330V IGBT

30F126 Datasheet

The Toshiba discrete IGBTs

(1) IGBTs also featuring fast switching
(2) Low collector-emitter saturation voltage even in the large current area
(3) IGBTs featuring a built-in diode with optimal characteristics tailored to specific applications
(4) High input impedance allows voltage drives
(5) Available in a variety of packages

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

On the other hand, the IGBT structure consists of a pnp bipolar transistor and a collector contact made on the p+ layer. The IGBT has a low on-state voltage drop due to conductivity modulation. The following figure shows the VCE(sat) curve of a soft-switching 900-V IGBT. Toshiba has offered IGBTs featuring fast switching by using carrier lifetime control techniques.

Источник

30f126 чем заменить транзистор

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Тип корпуса: 2-16F1A

GT30J126 Datasheet (PDF)

0.1. gt30j126.pdf Size:187K _toshiba

GT30J126 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J126 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.) Low saturation voltage: VCE (sat) =

7.1. gt30j121.pdf Size:182K _toshiba

GT30J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J121 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ

7.2. gt30j122.pdf Size:321K _toshiba

GT30J122 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J122 4TH GENERATION IGBT Unit: mmCURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS Enhancement mode type High speed: tf = 0.25s (Typ.) (IC = 50A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.1V (Typ.) (IC = 50A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitColl

Источник