7408 mosfet чем заменить
7408 mosfet чем заменить
Наименование прибора: AON7408
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 2.8 ns
Выходная емкость (Cd): 67 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
AON7408 Datasheet (PDF)
0.1. aon7408.pdf Size:262K _aosemi
AON740830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V The AON7408 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 18AThis device is suitable for use in general purpose RDS(ON) (at VGS=10V)
8.1. aon7400a.pdf Size:320K _aosemi
AON7400A30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V The AON7400A combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 40Aextremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)
8.2. aon7407.pdf Size:242K _aosemi
8.3. aon7403.pdf Size:172K _aosemi
8.4. aon7401.pdf Size:269K _aosemi
8.5. aon7404.pdf Size:233K _aosemi
AON740420V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AON7404 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V) 20Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=4.5V)
8.6. aon7405.pdf Size:319K _aosemi
8.7. aon7409.pdf Size:323K _aosemi
8.8. aon7402.pdf Size:301K _aosemi
AON740230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AON7402 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 39AThis device is suitable for high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)
8.9. aon7400.pdf Size:199K _aosemi
8.10. aon7404g.pdf Size:344K _aosemi
AON7404G20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 20A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V)
8.11. aon7406.pdf Size:270K _aosemi
AON740630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V The AON7406 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 25AThis device is suitable for use in SMPS and general RDS(ON) (at VGS=10V)
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
7408 mosfet чем заменить
Наименование прибора: AO7408
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 3.2 ns
Выходная емкость (Cd): 48 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.062 Ohm
AO7408 Datasheet (PDF)
0.1. ao7408.pdf Size:349K _aosemi
AO740820V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO7408 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with ID (at VGS=10V) 2Agate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for RDS(ON) (at VGS=4.5V)
9.1. ao7404.pdf Size:240K _aosemi
AO7404N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7404 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)
9.2. ao7403.pdf Size:110K _aosemi
9.3. ao7400.pdf Size:191K _aosemi
AO740030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO7400 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID (at VGS=10V) 1.7Aoperation with gate voltages as low as 2.5V, in the RDS(ON) (at VGS=10V)
9.4. ao7401.pdf Size:202K _aosemi
9.5. ao7405.pdf Size:207K _aosemi
9.6. ao7407.pdf Size:345K _aosemi
9.7. ao7400.pdf Size:1277K _kexin
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO7400 (KO7400) Features VDS (V) = 30V A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V)D RDS(ON) 65m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 85m (VGS = 2.5V)1 Gate2 SourceG3 DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-Source Voltage VGS 12
ТОРУС 255 замена MOSFET на IGBT
Но есть пока достаточно FGH40N60SMDF.
Есть желание попробовать заменить штатные MOSFET на IGBT.
Один раз попробовал, но хлопнули под нагрузкой, более времени не было на опыты, клиент торопил.
Есть у кого опыт, соображения?
Если только драйвера ставить на раскачку микрушные.
Ёмкость затвора выше, ток туда ввалить надо больше. И уровень напруги поднять. Там он около 8 вольт в оригинале вроде.
Максимум 10. А ИЖБеТу нужно примерно 15. Следовательно и эту напругу надо поднять.
Сообщение отредактировал gonta: 15 Апрель 2020 06:21
Это у меня антикризисные мероприятия.
В нормальной ситуации доступ к мосфетам без проблем.
Но и слегка шокирует количество одновременно сгоревших транзисторов.
Думаю можно попробовать вместо штатных 16 штук поставить эти 4 штуки.
Прикрепленные файлы
Nikoley,
А стоит ли колхозить?Что у чинцев, что на «чип и дип» мосфетов овермного.
Ну допустим драйвера переколхозишь, резисторы подберешь.Есть время на проведение испытаний во всем диапазоне токов и допиливание в процессе?
Тем более IGBT дороже, а надежнее ли.
tehsvar, все правильно сказал. Можно оптронные драйвера воткнуть. Как элементарный преобразователь уровня выходного для управления транзисторами. Но возникнет вопрос, от чего запитать.
gonta, испытания не нужны будут. Главное, что заниженная по уровню управа приводит к не стабильному срабатыванию транзисторов, к повышенному переходному сопротивлению, что приводит к перегреву транзистора и взрыву. Алексей это и сказал, что будет и как от этого избавится. Но стоит ли колхозить, это конечно другой вопрос. Если клиенту надо, а других в очереде нет, то можно и попробовать. Но. Параллельное подключение транзисторов не только по току значение повышает но еще и переходное сопротивление будет меньше, следовательно может сказаться связка с трансформатором. Но все это только теоретическое. В телевизорах у меня прокатывало все это и без особых переделок. Но там и токи не такие. Там больше в сторону высоких напряжений все направлено. А если заработает, достаточно на баластнике прогнать например на 100А 10 минут и при положительном исходе, можно выдавать клиенту.
Начните себя уважать и тогда вас то же будут уважать.
работайте на оборудовании, которое будет доставлять вам радость и тогда работа будет в сладость!
Актуальный вопрос по замене, после сегодняшнего случая.
Думаю вам нужно собрать нагрузочный стенд, чтобы проверять транзисторы перед установкой на плату. А может вообще не в транзисторах дело.
Актуальный вопрос по замене, после сегодняшнего случая.
Осциллограмму снимали? Смотрели что по входам на транзисторах? И как это полевик в корпусе 252-го? Можно фото?
Начните себя уважать и тогда вас то же будут уважать.
работайте на оборудовании, которое будет доставлять вам радость и тогда работа будет в сладость!
Осциллограмму снимали? Смотрели что по входам на транзисторах? И как это полевик в корпусе 252-го? Можно фото?
C осциллограммой всё в порядке, по входам всё в норме, в этом плане вопросы не актуальны, всё сделано как полагается. Я просто про китайское чудо рассказал. Полевик в корпусе TO-252 припаян на подложку припаяны боковые ноги и на этом бутерброде сформирован корпус TO-247. Позже выложу фото этого ноу-хау.
Вот оно, «китайское экономическое чудо».
Прикрепленные изображения
dimmar, не вижу ни чего криминального.
1. новые транзисторы проверить. Если остаются старые, то тестером они должны иметь идентичные параметры при прозвонке. Любые сопротивления или отсутствия должны быть в одном не только пределе но и очень близкие по параметрам.
2. Выпаянные места, проверить на наличие дефектных мест. В плане того, что могут быть оторвавшиеся дорожки или повреждения межслойных пистонов. Следовательно, по мере возможности устранить или продублировать проводами. Но в таком случае, провода должны идти по соответствующим дорожкам, чтобы не получить разную длину проводника.
3. взять осциллограф и посмотреть управляющий сигнал на каждом транзисторе. Конечно для удобства, транзисторов не должно быть. А так же нельзя допустить, чтобы затвор висел в воздухе.
Еще, видел в интернете, у людей, контактные площадки для охлаждения не имели контакта с радиатором, т.е. часть корпуса изолятора выступала и не позволяла транзистору иметь контакт с радиатором.
IRFP360 по даташиту, не имеет другого корпусного исполнения. Поэтому я не думаю, что это подделка. По ногам транзистора перед его пайкой, если он новый, можно посмотреть его на качество исполнения. Но даже совсем подозрительные и те ни когда не подводили, если в целом прозванивались как положено. А вот управляющий сигнал, его искажение хотя бы на одном транзисторе, приводило к взрыву. В начале карьеры, не один транзистор таким образом был угроблен. Без осциллографа, вероятность починки 50\50. Каждый канал транзистора нужно подробно проверить тестером, а иногда выпаивать, а иногда только заменой на новую деталь. Осциллограф сокращает время на поиск проблемы но и то не всегда. А тестером в некоторых случая, можно вечность искать проблему.
Начните себя уважать и тогда вас то же будут уважать.
работайте на оборудовании, которое будет доставлять вам радость и тогда работа будет в сладость!
dimmar, не вижу ни чего криминального.
1. новые транзисторы проверить. Если остаются старые, то тестером они должны иметь идентичные параметры при прозвонке. Любые сопротивления или отсутствия должны быть в одном не только пределе но и очень близкие по параметрам.
2. Выпаянные места, проверить на наличие дефектных мест. В плане того, что могут быть оторвавшиеся дорожки или повреждения межслойных пистонов. Следовательно, по мере возможности устранить или продублировать проводами. Но в таком случае, провода должны идти по соответствующим дорожкам, чтобы не получить разную длину проводника.
3. взять осциллограф и посмотреть управляющий сигнал на каждом транзисторе. Конечно для удобства, транзисторов не должно быть. А так же нельзя допустить, чтобы затвор висел в воздухе.
Еще, видел в интернете, у людей, контактные площадки для охлаждения не имели контакта с радиатором, т.е. часть корпуса изолятора выступала и не позволяла транзистору иметь контакт с радиатором.
IRFP360 по даташиту, не имеет другого корпусного исполнения. Поэтому я не думаю, что это подделка. По ногам транзистора перед его пайкой, если он новый, можно посмотреть его на качество исполнения. Но даже совсем подозрительные и те ни когда не подводили, если в целом прозванивались как положено. А вот управляющий сигнал, его искажение хотя бы на одном транзисторе, приводило к взрыву. В начале карьеры, не один транзистор таким образом был угроблен. Без осциллографа, вероятность починки 50\50. Каждый канал транзистора нужно подробно проверить тестером, а иногда выпаивать, а иногда только заменой на новую деталь. Осциллограф сокращает время на поиск проблемы но и то не всегда. А тестером в некоторых случая, можно вечность искать проблему.
В корпус одного транзистора китайцы вставили какой-то маломощный полевик, и ничего криминального? Тебе внутренности оригинала показать?
Да, и мне не надо рассказывать, как ремонтировать инверторы, я их уже много лет ремонтирую.
Сообщение отредактировал dimmar: 04 Май 2020 18:37
Ремонт ноутбука своими руками.
Меню навигации
Пользовательские ссылки
Объявление
Информация о пользователе
Asus X551CA не включается.
Сообщений 1 страница 30 из 40
Поделиться130.08.2016 16:33:51
Asus X551CA не включается, изначально говорят залит кофе. На кнопке включения и на мс флеш памяти питания нет. При подаче 19в со стацион. БП потребление тока дёргается до 50 мА и полумигает какойто светодиод. Схемы нет, при замерах питания нигде нет. Подскажите где копать или может схема есть. Спасибо.
Отредактировано Васин (30.08.2016 17:16:53)
Поделиться230.08.2016 17:05:03
Поделиться330.08.2016 17:09:16
Исправность ключей на входе смотрите (QM3024M3).
Что в этих точках?
Отредактировано Сеган (30.08.2016 17:13:58)
Поделиться430.08.2016 17:23:26
Сверху ключей 19 в, а в этих точках 0 в, а сколько должно быть 19?
Отредактировано Васин (30.08.2016 17:37:17)
Поделиться530.08.2016 17:47:40
Сверху ключей 19 в, а в этих точках 0 в, а сколько должно быть 19?
Ну есессенно должно быть 19 Вольт.
Для начала замените эти два транзистора.
Отредактировано Сеган (30.08.2016 17:51:04)
Поделиться631.08.2016 10:08:30
Подаю 3V в точку нижнего ключа, потребляет 1.5 А, наверное где то КЗ, плохо без схемы.
Отредактировано Васин (31.08.2016 10:09:04)
Поделиться731.08.2016 10:44:57
Ограничивайте до 1 Ампера, снижайте напряжение до 1,5 Вольт и подавайте на эту точку, далее отследите кто нагревается.
Поделиться831.08.2016 11:20:10
Нашёл mosfet M3002M
, греется и звонится накоротко, похоже это узел дежурки.
Отредактировано Васин (31.08.2016 11:22:33)
Поделиться931.08.2016 11:36:34
Это верхнее плечо 5-тивольтовой линии (QM3004M3). Снимите транзистор, проверьте его на КЗ, проверьте на КЗ 5-тивольтовую линию.
Отредактировано Сеган (31.08.2016 11:37:39)
Поделиться1031.08.2016 12:09:14
Снял, полевик пробит на коротко, появилось 19V на ключах, питание на флешке 3,3в и на кнопке вкл 2,7в и падает при нажатии. Подскажите пожалуйста, а где дежурка 5 и 3 в. И можно ли вместо М3002, временно припаять полевик P70N02, например с материнки 
Я правильно понимаю. Верхние 2 ключа, центр 3,3в, а нижние 5в. Спасибо
Отредактировано Васин (31.08.2016 12:18:26)
Поделиться1131.08.2016 12:19:48
И можно ли вместо М3002, временно припаять полевик P70N02, например с материнки
Подскажите пожалуйста, а где дежурка 5 и 3 в.
на кнопке вкл 2,7в и падает при нажатии.
Сначала нужно починить линию 5 Вольт.
В крайнем случае, можно отцепить преобразователь от линии и подать 5 Вольт с ЛБП, так можно проверить дальнейшую работу ноутбука без ремонта преобразователя.
Поделиться1231.08.2016 12:22:23
Подсоединил аккумулятор, диодик заряд не показывает, и ток не берёт может АК в глубоком разряде.
Поделиться1331.08.2016 12:24:16
Ясно спасибо. А этот преобразователь 5 и 3V в какой момент должен работать, после нажатия кнопки вкл или до.
Отредактировано Васин (31.08.2016 12:25:25)
Поделиться1431.08.2016 12:24:17
Подсоединил аккумулятор, диодик заряд не показывает, и ток не берёт может АК в глубоком разряде.
Вы что хотите сделать?
Пока не будет обязательных 3 и 5 Вольт система не будет с вами общаться.
Ясно спасибо. А этот преобразователь в какой момент должен работать, после нажатия кнопки вкл или до.
Отредактировано Сеган (31.08.2016 12:30:58)
Поделиться1531.08.2016 12:28:21
Уже проясняется, буду копать дальше, зацепок много. Спасибо.
Поделиться1631.08.2016 12:33:38
И можно ли вместо М3002, временно припаять полевик P70N02, например с материнки
Нет.
Если не трудно подскажите, М3002 нужно только такой или аналог из за того, что они работают в паре.
У меня таких ключей нет, если снять с другой материнки ноута обязательно ставить два одинаковых в оба плеча.
Нашёл по 5в линии жрёт ток, наверное и второй полевик в утечке.
Отредактировано Васин (31.08.2016 12:43:38)
Поделиться1731.08.2016 12:47:39
У этих транзисторов неплохие хар-тики, скорее всего вы поставите хуже, но можете попробовать.
Замените транзистор с донора, так же из цепи преобразователя и протестируйте.
Если плечи пойдут в разнос из-за рассинхрона, то вы это заметите.
Нашёл по 5в линии жрёт ток, наверное и второй полевик в утечке.
Возможно в нагрузке проблема. Можно обратить внимание на картридер.
Отредактировано Сеган (31.08.2016 12:49:40)
Поделиться1831.08.2016 13:08:08
Да снял второй полевик, ток по 5в жрёт всё равно, а где этот картридер, скажите пожалуйста.
Отредактировано Васин (31.08.2016 13:08:43)
Поделиться1931.08.2016 15:35:15
Подаю 4.5V потребляет 1А, и греется PJP8200 16 
ног на ней написано JJ FH W1R
Поделиться2031.08.2016 16:13:06
Плохо дело. С процом может быть беда.
Смотрите на пробой эти два ключа, что рядом с микрой, а так же рядом с процессором ключи все на сток-исток-затвор прозвоните.
И вообще, скажите какое сопротивление относительно «земли» в этой точке:
Отредактировано Сеган (31.08.2016 16:13:44)
Поделиться2131.08.2016 16:21:27
Ключи не пробиты, возле проца то же, сопротивление около 500 Ом, подал в эту точку 1 в, ток не берёт а какое название и роль в этой микрухи, и почему она дуется, наверное дохлая.
Отредактировано Васин (31.08.2016 16:24:36)
Поделиться2231.08.2016 16:26:40
А подай не больше 1 Вольта на 5-тивольтовую, будет потребление?
а какое название и роль в этой микрухи
RT8202MZQW ШИМ-контроллер формирует питание для процессора.
Отредактировано Сеган (31.08.2016 16:37:15)
Поделиться2331.08.2016 16:32:02
Отредактировано Васин (31.08.2016 16:33:39)
Поделиться2431.08.2016 16:39:10
RT8202MZQW ШИМ-контроллер формирует питание для процессора.
Понял, спасибо, буду копать вокруг неё.
Поделиться2531.08.2016 16:41:54
Тогда снимай ШИМ, после этого подай снова на 5-тивольтовую линию и гляди.
Только не включай адаптер питания со снятым ШИМ, чтобы не отхватить на проц 19 Вольт от верхнего ключа, если захочешь включить без ШИМ, то скинь еще и верхние ключи.
Верхних ключа два, это те которые рядом с ШИМ, нижние ключи на обороте платы.
Отредактировано Сеган (31.08.2016 16:44:40)
Поделиться2631.08.2016 16:50:21
Уяснил, со средней точки ключей наверное вольта полтора на проц должно идти, я это учту и буду аккуратно. Спасибо.
Микруха наверное дуется по 9 ноге питание 5V
Отредактировано Васин (31.08.2016 16:53:10)
Поделиться2731.08.2016 17:02:43
Все-таки попробуй ее снять и подать с ЛБП 5 Вольт на дежурную линию 5 Вольт, будут ли еще проблемы, если все нормально, то меняй данный ШИМ.
Поделиться2831.08.2016 17:06:19
Спасибо, завтра сниму.
Поделиться2901.09.2016 12:28:09
Снял шим PJP8200 (RT8202MZQW), потребление по дежурке 5V стало 150 мА, похоже дохлая тем более она грелась. Буду искать такую мс.
Поделиться3009.09.2016 12:53:33
Сначала нужно починить линию 5 Вольт.
В крайнем случае, можно отцепить преобразователь от линии и подать 5 Вольт с ЛБП, так можно проверить дальнейшую работу ноутбука без ремонта преобразователя.
При СНЯТЫХ: RT8202MZQW (ШИМ-контроллер формирует питание для процессора), и ключей дежурки 5V
Подскажите пожалуйста, должно появляться 3V дежурки при нажатии кнопки вкл. Можно как нибудь проверить дальнейшую работу ноутбука в таком состоянии, есть смысл с ним возиться или нет. Спасибо.
Отредактировано Васин (09.09.2016 17:52:02)